MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
NexFET™
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияПодкатегория
Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - МассивыОписание
MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Основные характеристики
-
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Полная техническая структура
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Product Parameter
Terminal Finish
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Product Parameter
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Product Parameter
Number of Elements
2
Product Parameter
FET Feature
Logic Level Gate
Product Parameter
Turn On Delay Time
5.4 ns
Product Parameter
Drain to Source Voltage (Vdss)
25V
Частые вопросы
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют CSD86311W1723, наличие, документацию и процесс закупки.
CSD86311W1723 — это компонент категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от Texas Instruments. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Для CSD86311W1723 указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Сейчас на странице указано 42960 шт. на складе и 37158 шт. доступно для CSD86311W1723. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для CSD86311W1723 от Texas Instruments. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Отдельная ссылка на datasheet сейчас не указана для CSD86311W1723 от Texas Instruments. Свяжитесь с нами с номером детали и нужными параметрами, чтобы команда помогла подтвердить документацию на этапе предложения.
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для CSD86311W1723.
Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6
Еще материалы по закупкам
25 июн. 2026 г.
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.