Поставка оригинальных STB9NK60ZT4, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от STMicroelectronics

MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK

Поставка оригинальных STB9NK60ZT4, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от STMicroelectronics | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

STB9NK60ZT4

Внутренний код

TCE000045159

Упаковка

TO-263-3

Производитель

STMicroelectronics

Ключевые характеристики

Серия

SuperMESH™

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для STB9NK60ZT4 от STMicroelectronics в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

Part Status

Active

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

Lead Free

Lead Free

Product Attribute

Mounting Type

Surface Mount

Product Attribute

Current Rating

7A

Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Current Rating
7A
Factory Lead Time
12 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Form
GULL WING
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Element Configuration
Single
Peak Reflow Temperature (Cel)
245
Manufacturer
STMicroelectronics
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Package / Case
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Reflow Temperature-Max (s)
30
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Length
10.4mm
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Pin Count
3
Voltage - Rated DC
600V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Height
4.6mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Width
9.35mm
Series
SuperMESH™
Threshold Voltage
3.75V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
28A
Continuous Drain Current (ID)
7A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7A Tc
Drain Current-Max (Abs) (ID)
7A
Fall Time (Typ)
15 ns
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100μA
Power Dissipation
125W
Power Dissipation-Max
125W Tc
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1110pF @ 25V
Manufacturer's Part No.
STB9NK60ZT4
Rds On (Max) @ Id, Vgs
950m Ω @ 3.5A, 10V
Resistance
950mOhm
Base Part Number
STB9N
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Matte Tin (Sn) - annealed
Turn On Delay Time
19 ns
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
43 ns
Rise Time
17ns

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют STB9NK60ZT4, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое STB9NK60ZT4?

STB9NK60ZT4 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от STMicroelectronics. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для STB9NK60ZT4?

Для STB9NK60ZT4 указан корпус TO-263-3. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли STB9NK60ZT4 в наличии?

Сейчас на странице указано 88103 шт. на складе и 65771 шт. доступно для STB9NK60ZT4. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для STB9NK60ZT4?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для STB9NK60ZT4 от STMicroelectronics. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для STB9NK60ZT4?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для STB9NK60ZT4 от STMicroelectronics, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом STB9NK60ZT4?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для STB9NK60ZT4.

Еще материалы по закупкам

Статьи

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.

19 июн. 2026 г.

Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика

mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники

Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.

15 июн. 2026 г.

Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений

SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat

Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.