Что такое DMG1029SV-7?
DMG1029SV-7 — это компонент категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от Diodes Incorporated. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Diodes IncorporatedДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы
Поставка оригинальных DMG1029SV-7, Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы, от Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 60V SOT563
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
-
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияПодкатегория
Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - МассивыОписание
MOSFET N/P-CH 60V SOT563
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для DMG1029SV-7 от Diodes Incorporated в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N/P-CH 60V SOT563
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Product Parameter
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Product Parameter
Number of Elements
2
Product Parameter
Turn On Delay Time
5.5 ns
Product Parameter
FET Feature
Logic Level Gate
Product Parameter
Rise Time
7.9ns
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Number of Elements
2
Turn On Delay Time
5.5 ns
FET Feature
Logic Level Gate
Rise Time
7.9ns
Turn-Off Delay Time
10.6 ns
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
16 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Published
2013
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Max Power Dissipation
450mW
Width
1.25mm
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Subcategory
Other Transistors
Manufacturer
Diodes Incorporated
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250μA
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Power Dissipation
450mW
Number of Terminations
6
Number of Pins
6
Pin Count
6
Terminal Form
FLAT
Drain to Source Breakdown Voltage
60V
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Continuous Drain Current (ID)
500mA
Length
1.7mm
Height
600μm
Resistance
4Ohm
Threshold Voltage
2.5V
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Additional Feature
HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD
Feedback Cap-Max (Crss)
5 pF
Package / Case
SOT-563, SOT-666
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
FET Type
N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.3nC @ 4.5V
Weight
3.005049mg
Base Part Number
DMG1029
Fall Time (Typ)
11.6 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7 Ω @ 500mA, 10V
Manufacturer's Part No.
DMG1029SV-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
30pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
500mA 360mA
Drain Current-Max (Abs) (ID)
0.37A
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.21.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют DMG1029SV-7, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для DMG1029SV-7?
Для DMG1029SV-7 указан корпус SOT563. Текущее описание товара: MOSFET N/P-CH 60V SOT563. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли DMG1029SV-7 в наличии?
Сейчас на странице указано 39802 шт. на складе и 32930 шт. доступно для DMG1029SV-7. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для DMG1029SV-7?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для DMG1029SV-7 от Diodes Incorporated. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для DMG1029SV-7?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для DMG1029SV-7 от Diodes Incorporated, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом DMG1029SV-7?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для DMG1029SV-7.
Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FDS4559
174 покупали
SOIC
RoHS
MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO
Ориентировочная цена
$0.25Добавить в список RFQ
FDMA1032CZ
133 покупали
RoHS
MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2
Ориентировочная цена
$0.23Добавить в список RFQ
BSS8402DW-7-F
215 покупали
SC70-6
RoHS
MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6
Ориентировочная цена
$0.03Добавить в список RFQ
FDG8842CZ
157 покупали
SC70-6
RoHS
MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6
Ориентировочная цена
$0.19Добавить в список RFQ
IRF7306TRPBF
182 покупали
8-SOIC
RoHS
MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
Ориентировочная цена
$0.34Добавить в список RFQ
IRF7104TRPBF
166 покупали
8-SOIC
RoHS
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
Ориентировочная цена
$0.25Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.