Что такое FDD2670?
FDD2670 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDD2670, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDD2670 от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Terminal Finish
Tin (Sn)
Product Parameter
Turn On Delay Time
13 ns
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
30 ns
Product Parameter
Rise Time
8ns
Product Parameter
Dual Supply Voltage
200V
Terminal Finish
Tin (Sn)
Turn On Delay Time
13 ns
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
30 ns
Rise Time
8ns
Dual Supply Voltage
200V
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Factory Lead Time
4 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Termination
SMD/SMT
Terminal Form
GULL WING
Published
2016
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Power Dissipation
70mW
Height
2.39mm
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Nominal Vgs
4 V
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Length
6.73mm
Series
PowerTrench®
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
2
Width
6.22mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Number of Pins
2
Voltage - Rated DC
200V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Fall Time (Typ)
25 ns
Threshold Voltage
4V
Drain to Source Breakdown Voltage
200V
Weight
260.37mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.6A Ta
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
43nC @ 10V
Manufacturer's Part No.
FDD2670
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1228pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130m Ω @ 3.6A, 10V
Continuous Drain Current (ID)
3.6A
Current Rating
3.6A
Power Dissipation-Max
3.2W Ta 70W Tc
Avalanche Energy Rating (Eas)
375 mJ
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDD2670, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDD2670?
Для FDD2670 указан корпус TO-252-3. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDD2670 в наличии?
Сейчас на странице указано 94093 шт. на складе и 94093 шт. доступно для FDD2670. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDD2670?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDD2670 от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDD2670?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDD2670 от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDD2670?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDD2670.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRF7205TRPBF
146 покупали
8-SOIC
RoHS
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC
Ориентировочная цена
$0.21Добавить в список RFQ
SIR462DP-T1-GE3
219 покупали
RoHS
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Ориентировочная цена
$3.50Добавить в список RFQ
FCPF7N60
180 покупали
TO-220-3
RoHS
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
Ориентировочная цена
$1.23Добавить в список RFQ
APT50M38JLL
183 покупали
SOT-227
RoHS
MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227
Ориентировочная цена
$13.00Добавить в список RFQ
IRF5210STRLPBF
218 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.41Добавить в список RFQ
IRFU420PBF
160 покупали
TO-251-3
RoHS
MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK
Ориентировочная цена
$0.59Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.