Что такое FDS6680AS?
FDS6680AS — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDS6680AS, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®, SyncFET™
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDS6680AS от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Published
2005
Packaging
Tape & Reel (TR)
Factory Lead Time
18 Weeks
Terminal Position
DUAL
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Package / Case
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Manufacturer
ON Semiconductor
Power Dissipation
2.5mW
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Width
4mm
Height
1.5mm
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Length
5mm
Number of Pins
8
Number of Terminations
8
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Weight
130mg
Power Dissipation-Max
2.5W Ta
Drain to Source Breakdown Voltage
30V
Threshold Voltage
1.5V
Voltage - Rated DC
-30V
Fall Time (Typ)
11 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Current Rating
-11.5A
Series
PowerTrench®, SyncFET™
Continuous Drain Current (ID)
11.5A
Resistance
10MOhm
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1240pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10m Ω @ 11.5A, 10V
Manufacturer's Part No.
FDS6680AS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11.5A Ta
Recovery Time
18 ns
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-609 Code
e4
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Turn On Delay Time
11 ns
Number of Elements
1
Rise Time
12ns
Turn-Off Delay Time
18 ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDS6680AS, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDS6680AS?
Для FDS6680AS указан корпус 8SOIC. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDS6680AS в наличии?
Сейчас на странице указано 51673 шт. на складе и 50879 шт. доступно для FDS6680AS. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDS6680AS?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDS6680AS от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDS6680AS?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDS6680AS от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDS6680AS?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDS6680AS.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FCPF16N60NT
206 покупали
TO-220
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
Ориентировочная цена
$0.57Добавить в список RFQ
FDMS86322
224 покупали
2010
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 80V 60A LL POWER56
Ориентировочная цена
$0.93Добавить в список RFQ
IPD088N06N3GBTMA1
128 покупали
TO252
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Ориентировочная цена
$0.44Добавить в список RFQ
FDMC2610
161 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8
Ориентировочная цена
$0.99Добавить в список RFQ
STP55NF06
128 покупали
TO-220
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
Ориентировочная цена
$0.23Добавить в список RFQ
IRFZ44VZSPBF
162 покупали
TO-263
RoHS
Datasheet
D2PAK(TO-263) MOSFET RoHS
Ориентировочная цена
$0.84Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.