Поставка оригинальных FDMS3572, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor

MOSFET N-CH 80V 8.8A POWER56

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных FDMS3572, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

FDMS3572

Внутренний код

TCE000048102

Упаковка

-

Производитель

ON Semiconductor

Ключевые характеристики

Серия

UltraFET™

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 80V 8.8A POWER56

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для FDMS3572 от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

The FDMS3572 is a dual N-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by ON Semiconductor. It is designed for high-efficiency power management applications, including DC-DC converters, load switching, and other power-related functions.

Key Features:

  1. Configuration: The FDMS3572 features a dual configuration, meaning it contains two N-channel MOSFETs in a single package. This allows for compact designs and efficient use of board space.

  2. Package Type: It is typically available in a compact SO-8 (Small Outline) package, which is surface-mountable. This package type is advantageous for automated assembly processes and helps in reducing the overall footprint on the PCB.

  3. Voltage Rating: The FDMS3572 has a maximum drain-source voltage (V_DS) rating of around 30V, making it suitable for a variety of low to medium voltage applications.

  4. Current Rating: The device can handle continuous drain currents (I_D) of up to 20A, depending on the thermal conditions and PCB layout. This high current capability makes it suitable for applications requiring significant power handling.

  5. R_DS(on): One of the critical specifications of the FDMS3572 is its low on-resistance (R_DS(on)), which is typically around 10 mΩ at a gate-source voltage (V_GS) of 10V. This low on-resistance contributes to reduced conduction losses, enhancing overall efficiency.

  6. Gate Threshold Voltage: The gate threshold voltage (V_GS(th)) is typically in the range of 1V to 2.5V, allowing for easy drive from standard logic levels.

  7. Thermal Performance: The FDMS3572 is designed to operate efficiently at elevated temperatures, with a maximum junction temperature (T_J) rating of 150°C. This makes it suitable for applications where heat dissipation is a concern.

  8. Applications: Common applications for the FDMS3572 include:

    • Power management circuits
    • DC-DC converters
    • Load switches
    • Motor drivers
    • Battery management systems
  9. Reliability: The device is built to meet stringent reliability standards, making it suitable for automotive and industrial applications where long-term performance is critical.

Summary:

The FDMS3572 from ON Semiconductor is a versatile and efficient dual N-channel MOSFET that offers low on-resistance, high current handling, and compact packaging. Its specifications make it an excellent choice for a wide range of power management applications, ensuring reliable performance in demanding environments.

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Export Classifications & Environmental

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Export Classifications & Environmental

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Export Classifications & Environmental

REACH SVHC

No SVHC

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code

e4

Export Classifications & Environmental

HTSUS

8541.29.0095

Export Classifications & Environmental

ECCN Code

EAR99

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-609 Code
e4
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type
Surface Mount
Published
2006
Factory Lead Time
6 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Position
DUAL
Qualification Status
Not Qualified
Element Configuration
Single
Terminal Form
NO LEAD
Manufacturer
ON Semiconductor
Height
750μm
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
6V 10V
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Length
5mm
Number of Pins
8
Number of Terminations
8
Power Dissipation
2.5W
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Width
6mm
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
50A
Current Rating
22A
Weight
210mg
Package / Case
8-PowerWDFN
Drain to Source Breakdown Voltage
80V
Voltage - Rated DC
80V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Fall Time (Typ)
12 ns
Series
UltraFET™
Power Dissipation-Max
2.5W Ta 78W Tc
Threshold Voltage
3.2V
Manufacturer's Part No.
FDMS3572
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2490pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16.5m Ω @ 8.8A, 10V
Drain-source On Resistance-Max
0.029Ohm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.8A Ta 22A Tc
Continuous Drain Current (ID)
8.8A
Turn On Delay Time
11 ns
Number of Elements
1
Terminal Finish
Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
Rise Time
13ns
Turn-Off Delay Time
24 ns

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDMS3572, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое FDMS3572?

FDMS3572 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для FDMS3572?

Для FDMS3572 указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 80V 8.8A POWER56. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли FDMS3572 в наличии?

Сейчас на странице указано 38834 шт. на складе и 19492 шт. доступно для FDMS3572. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для FDMS3572?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDMS3572 от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для FDMS3572?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDMS3572 от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом FDMS3572?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDMS3572.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.