Поставка оригинальных IRF3205LPBF, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies

MOSFET N-CH 55V 110A TO-262

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных IRF3205LPBF, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

IRF3205LPBF

Внутренний код

TCE000050813

Упаковка

TO-262

Производитель

Infineon Technologies

Ключевые характеристики

Серия

HEXFET®

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 55V 110A TO-262

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для IRF3205LPBF от Infineon Technologies в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 55V 110A TO-262

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Parameter

Terminal Finish

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

Product Parameter

Rise Time

101ns

Product Parameter

Number of Elements

1

Product Parameter

Turn On Delay Time

14 ns

Product Parameter

Turn-Off Delay Time

50 ns

Product Parameter

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Terminal Finish
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Rise Time
101ns
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
14 ns
Turn-Off Delay Time
50 ns
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Mounting Type
Through Hole
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Factory Lead Time
14 Weeks
Published
2002
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Part Status
Not For New Designs
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Voltage - Rated DC
55V
Power Dissipation
200W
Avalanche Energy Rating (Eas)
264 mJ
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
146nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8m Ω @ 62A, 10V
Additional Feature
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
Drain Current-Max (Abs) (ID)
75A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3247pF @ 25V
Continuous Drain Current (ID)
110A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
110A Tc
Power Dissipation-Max
200W Tc
Reflow Temperature-Max (s)
30
Radiation Hardening
No
Mount
Through Hole
Number of Pins
3
Terminal Position
SINGLE
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Number of Terminations
3
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Threshold Voltage
4V
Drain to Source Breakdown Voltage
55V
Length
10.668mm
Width
4.826mm
Height
9.65mm
Fall Time (Typ)
65 ns
Drain-source On Resistance-Max
0.008Ohm
Current Rating
110A
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Manufacturer's Part No.
IRF3205LPBF
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют IRF3205LPBF, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое IRF3205LPBF?

IRF3205LPBF — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для IRF3205LPBF?

Для IRF3205LPBF указан корпус TO-262. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 55V 110A TO-262. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли IRF3205LPBF в наличии?

Сейчас на странице указано 48885 шт. на складе и 21518 шт. доступно для IRF3205LPBF. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для IRF3205LPBF?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для IRF3205LPBF от Infineon Technologies. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для IRF3205LPBF?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для IRF3205LPBF от Infineon Technologies, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом IRF3205LPBF?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для IRF3205LPBF.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.