Что такое SI3590DV-T1-E3?
SI3590DV-T1-E3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных SI3590DV-T1-E3, Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы, от Vishay
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
TrenchFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияПодкатегория
Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - МассивыОписание
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для SI3590DV-T1-E3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
20 ns
Product Parameter
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Product Parameter
Number of Channels
2
Product Parameter
Number of Elements
2
Product Parameter
Turn On Delay Time
5 ns
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Turn-Off Delay Time
20 ns
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Number of Channels
2
Number of Elements
2
Turn On Delay Time
5 ns
Rise Time
15ns
FET Feature
Logic Level Gate
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Published
2011
Factory Lead Time
14 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Height
1.1mm
Manufacturer
Vishay
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Subcategory
Other Transistors
Max Power Dissipation
830mW
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250μA
Series
TrenchFET®
Resistance
170mOhm
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
6
Number of Pins
6
Pin Count
6
Drain to Source Breakdown Voltage
30V
Gate to Source Voltage (Vgs)
12V
Length
3.05mm
Continuous Drain Current (ID)
2.5A
Weight
19.986414mg
Width
1.65mm
Fall Time (Typ)
15 ns
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Power Dissipation
830mW
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
FET Type
N and P-Channel
Nominal Vgs
600 mV
Manufacturer's Part No.
SI3590DV-T1-E3
Rds On (Max) @ Id, Vgs
77m Ω @ 3A, 4.5V
Base Part Number
SI3590
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.5A 1.7A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4.5nC @ 4.5V
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH SVHC
Unknown
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.21.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SI3590DV-T1-E3, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для SI3590DV-T1-E3?
Для SI3590DV-T1-E3 указан корпус SOT-23-6. Текущее описание товара: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли SI3590DV-T1-E3 в наличии?
Сейчас на странице указано 31702 шт. на складе и 29671 шт. доступно для SI3590DV-T1-E3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для SI3590DV-T1-E3?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SI3590DV-T1-E3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для SI3590DV-T1-E3?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SI3590DV-T1-E3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом SI3590DV-T1-E3?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SI3590DV-T1-E3.
Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
DMC4050SSD-13
144 покупали
SOIC
RoHS
Datasheet
MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO
Ориентировочная цена
$0.29Добавить в список RFQ
DMG4800LSD-13
128 покупали
SOIC
RoHS
Datasheet
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
Ориентировочная цена
$0.11Добавить в список RFQ
FDS6875
209 покупали
8SOIC
RoHS
Datasheet
MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC
Ориентировочная цена
$0.11Добавить в список RFQ
NTLJD3119CTBG
171 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
Ориентировочная цена
$0.90Добавить в список RFQ
DMG6602SVT-7
172 покупали
SOT-23-6
RoHS
Datasheet
MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
Ориентировочная цена
$0.04Добавить в список RFQ
FDG6301N
133 покупали
SC70-6
RoHS
Datasheet
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
Ориентировочная цена
$0.08Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
3 июл. 2026 г.
Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas
PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI
Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.