Логотип сайта TrustCompo | TrustCompo

SIA921EDJ-T1-GE3 Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от Vishay

SIA921EDJ-T1-GE3 — это модель из категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от Vishay, представленная на TrustCompo для покупателей, которым нужен понятный контекст по закупке и проверке до RFQ. Эта позиция находится в товарном пути Дискретные полупроводниковые изделия / Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы. Известный корпус сейчас указан как SC70-6 в карточке бренда Vishay. MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6. TrustCompo собирает доступные данные по модели, бренду, товарной иерархии и спецификациям для SIA921EDJ-T1-GE3, чтобы покупатели быстрее переходили от проверки к запросу предложения.

RoHS
Datasheet
SIA921EDJ-T1-GE3 Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от Vishay | TrustCompo
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Проверка подлинности и прослеживаемости

Быстрый ответ по RFQ

Поддержка по документации

Проверка перед отгрузкой

Номер детали

SIA921EDJ-T1-GE3

Внутренний код

TCE000087288

Упаковка

SC70-6

Производитель

Vishay

Ключевые характеристики

Серия

TrenchFET®

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

Основные характеристики

-

Техническое описание

Открыть datasheet SIA921EDJ-T1-GE3

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для SIA921EDJ-T1-GE3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet SIA921EDJ-T1-GE3

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Процесс заказа

Поймите, как оформить заказ и какие политики поддерживают закупку

Здесь собран быстрый путь к заказу и страницы policy, которые покупатели обычно просматривают перед подтверждением закупки компонента.

Как заказать этот товар

Простой B2B-процесс помогает инженерной и закупочной команде перейти от проверки позиции к коммерческому подтверждению.

1

Проверьте позицию и количество

Сверьте номер детали, корпус, ключевые характеристики и целевое количество, чтобы запрос цены точно отражал нужный вашей команде scope закупки.

2

Отправьте RFQ или запрос на образец

Используйте быстрый запрос цены для коммерческой оценки или запрос образца, если инженерная валидация еще идет и нужен небольшой объем для проверки.

3

Согласуйте доставку, оплату и документы

До финального подтверждения уточните сроки наличия, способ отгрузки, схему оплаты и любые документы по прослеживаемости или инспекции, которые нужны вашему процессу.

Какие policy обычно проверяют покупатели

Эти страницы объясняют правила работы по образцам, доставке, оплате и quality support до размещения заказа.

Получить образец

Запросите инженерные образцы для оценки применимости, проверки альтернатив и ускорения решения до размещения более крупного заказа.

Запросить образцы

Доставка и отгрузка

Ознакомьтесь с точкой отправки, вариантами перевозчиков, способами доставки и факторами, влияющими на срок транзита международных заказов.

Посмотреть условия доставки

Условия оплаты

Узнайте о поддерживаемых способах оплаты, типах инвойсов, валюте котировки и коммерческих границах международных B2B-заказов.

Посмотреть условия оплаты

Центр качества и прослеживаемости

Посмотрите, как входной контроль, проверка перед отгрузкой, traceability support, сертификаты и дополнительные тесты встроены в наш quality workflow.

Посмотреть quality workflow

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Просматривайте обзор, подробные характеристики и связанные материалы по закупке в одном структурированном блоке без перегрузки длинными разрозненными секциями.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Parameter

Terminal Finish

MATTE TIN

Product Parameter

FET Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Product Parameter

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Product Parameter

Number of Elements

2

Product Parameter

Turn On Delay Time

5 ns

Product Parameter

Turn-Off Delay Time

25 ns

Terminal Finish
MATTE TIN
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Number of Elements
2
Turn On Delay Time
5 ns
Turn-Off Delay Time
25 ns
FET Feature
Logic Level Gate
Rise Time
12ns
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Part Status
Active
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
REACH Status
Vendor Undefined
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
14 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Published
2014
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Height
750μm
Manufacturer
Vishay
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Subcategory
Other Transistors
Power Dissipation
1.9W
Series
TrenchFET®
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
6
Number of Pins
6
Pin Count
6
Drain to Source Breakdown Voltage
-20V
Element Configuration
Dual
Gate to Source Voltage (Vgs)
12V
Weight
28.009329mg
Continuous Drain Current (ID)
-4.5A
FET Type
2 P-Channel (Dual)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Fall Time (Typ)
10 ns
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250μA
Width
2.05mm
Length
2.05mm
Max Power Dissipation
7.8W
Package / Case
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
15A
Resistance
59MOhm
Manufacturer's Part No.
SIA921EDJ-T1-GE3
Rds On (Max) @ Id, Vgs
59m Ω @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.5A

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SIA921EDJ-T1-GE3, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое SIA921EDJ-T1-GE3?

SIA921EDJ-T1-GE3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для SIA921EDJ-T1-GE3?

Для SIA921EDJ-T1-GE3 указан корпус SC70-6. Текущее описание товара: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли SIA921EDJ-T1-GE3 в наличии?

Сейчас на странице указано 111597 шт. на складе и 57652 шт. доступно для SIA921EDJ-T1-GE3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для SIA921EDJ-T1-GE3?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SIA921EDJ-T1-GE3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для SIA921EDJ-T1-GE3?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SIA921EDJ-T1-GE3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом SIA921EDJ-T1-GE3?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SIA921EDJ-T1-GE3.

Еще материалы по закупкам

Статьи

Изучите материалы о SIA921EDJ-T1-GE3, категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы и связанных решениях по закупке, чтобы команде было проще перейти от оценки к RFQ.

11 июл. 2026 г.

Широкозонные силовые полупроводники в Q3 2026: где растет SiC, где выигрывает GaN и почему кремний все еще важен

Срез по SiC, GaN и кремнию на Q3 2026: где широкозонные приборы уже выигрывают, где кремний сохраняет силу и на что инженерам и закупщикам стоит смотреть дальше.

широкозонные полупроводникиSiCGaN

8 июл. 2026 г.

Сроки поставки и ценовое давление Texas Instruments в 2026 году: что сейчас делать закупщикам аналоговых и силовых ИС

Ориентированная на закупщиков структура оценки рисков по аналоговым и силовым ИС Texas Instruments в 2026 году: что подтверждено, где наиболее вероятно ценовое давление и удлинение lead time, и какие действия sourcing-командам стоит выполнить в первую очередь.

Texas Instrumentsаналоговые ИСсиловые ИС