Поставка оригинальных IPB70P04P409ATMA1, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies

MOSFET N-CH TO263-3

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных IPB70P04P409ATMA1, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

IPB70P04P409ATMA1

Внутренний код

TCE000056507

Упаковка

TO263

Производитель

Infineon Technologies

Ключевые характеристики

Серия

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH TO263-3

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для IPB70P04P409ATMA1 от Infineon Technologies в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH TO263-3

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code

e3

Export Classifications & Environmental

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Export Classifications & Environmental

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Export Classifications & Environmental

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Export Classifications & Environmental

HTSUS

8541.29.0095

Export Classifications & Environmental

ECCN Code

EAR99

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Contains Lead
Mounting Type
Surface Mount
Published
2011
Factory Lead Time
14 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Length
10mm
Halogen Free
Halogen Free
Terminal Form
GULL WING
Reach Compliance Code
not_compliant
Element Configuration
Single
Part Status
Not For New Designs
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Element Material
SILICON
Package / Case
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power Dissipation
75W
Mount
Surface Mount
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Fall Time (Typ)
31 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Drain to Source Breakdown Voltage
-40V
Power Dissipation-Max
75W Tc
Height
4.4mm
Avalanche Energy Rating (Eas)
24 mJ
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
72A Tc
Drain-source On Resistance-Max
0.0094Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
288A
Width
9.25mm
Drain Current-Max (Abs) (ID)
72A
Continuous Drain Current (ID)
-70A
Polarity/Channel Type
P-CHANNEL
Series
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.1m Ω @ 70A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4810pF @ 25V
Manufacturer's Part No.
IPB70P04P409ATMA1
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 120μA
Terminal Finish
Tin (Sn)
Turn On Delay Time
19 ns
Number of Elements
1
Rise Time
15ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
Turn-Off Delay Time
24 ns
Max Dual Supply Voltage
-40V

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют IPB70P04P409ATMA1, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое IPB70P04P409ATMA1?

IPB70P04P409ATMA1 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для IPB70P04P409ATMA1?

Для IPB70P04P409ATMA1 указан корпус TO263. Текущее описание товара: MOSFET N-CH TO263-3. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли IPB70P04P409ATMA1 в наличии?

Сейчас на странице указано 33385 шт. на складе и 10341 шт. доступно для IPB70P04P409ATMA1. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для IPB70P04P409ATMA1?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для IPB70P04P409ATMA1 от Infineon Technologies. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для IPB70P04P409ATMA1?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для IPB70P04P409ATMA1 от Infineon Technologies, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом IPB70P04P409ATMA1?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для IPB70P04P409ATMA1.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.