Поставка оригинальных IRF6612TRPBF, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies

MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных IRF6612TRPBF, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

IRF6612TRPBF

Внутренний код

TCE000056515

Упаковка

-

Производитель

Infineon Technologies

Ключевые характеристики

Серия

HEXFET®

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для IRF6612TRPBF от Infineon Technologies в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Parameter

Terminal Finish

TIN SILVER COPPER

Product Parameter

Number of Elements

1

Product Parameter

Turn-Off Delay Time

21 ns

Product Parameter

Turn On Delay Time

15 ns

Product Parameter

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Product Parameter

Rise Time

52ns

Terminal Finish
TIN SILVER COPPER
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
21 ns
Turn On Delay Time
15 ns
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Rise Time
52ns
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Published
2006
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Qualification Status
Not Qualified
Current Rating
24A
Terminal Form
NO LEAD
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Operating Temperature
-40°C~150°C TJ
Drain-source On Resistance-Max
0.0033Ohm
Reflow Temperature-Max (s)
30
Mount
Surface Mount
Number of Pins
5
Nominal Vgs
1.8 V
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Terminal Position
BOTTOM
Number of Terminations
3
Voltage - Rated DC
30V
Drain to Source Breakdown Voltage
30V
Length
6.35mm
Width
5.05mm
Power Dissipation
89W
Avalanche Energy Rating (Eas)
37 mJ
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250μA
Package / Case
DirectFET™ Isometric MX
Power Dissipation-Max
2.8W Ta 89W Tc
Fall Time (Typ)
4.8 ns
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3970pF @ 15V
Height
506μm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
24A Ta 136A Tc
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
190A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.3m Ω @ 24A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 4.5V
Continuous Drain Current (ID)
136mA
Manufacturer's Part No.
IRF6612TRPBF
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
RoHS Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-609 Code
e1
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
JESD-30 Code
R-XBCC-N3

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют IRF6612TRPBF, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое IRF6612TRPBF?

IRF6612TRPBF — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для IRF6612TRPBF?

Для IRF6612TRPBF указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли IRF6612TRPBF в наличии?

Сейчас на странице указано 86710 шт. на складе и 86067 шт. доступно для IRF6612TRPBF. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для IRF6612TRPBF?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для IRF6612TRPBF от Infineon Technologies. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для IRF6612TRPBF?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для IRF6612TRPBF от Infineon Technologies, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом IRF6612TRPBF?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для IRF6612TRPBF.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.