Логотип сайта TrustCompo | TrustCompo
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы

Поставка оригинальных FDMS3660S, Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы, от ON Semiconductor

MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных FDMS3660S, Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы, от ON Semiconductor | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

FDMS3660S

Внутренний код

TCE000059558

Упаковка

-

Производитель

ON Semiconductor

Ключевые характеристики

Серия

PowerTrench®

Минимальное количество

1

Категория

Дискретные полупроводниковые изделия

Подкатегория

Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы

Описание

MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для FDMS3660S от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

Part Status

Active

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

Lead Free

Lead Free

Product Attribute

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

Product Attribute

Mounting Type

Surface Mount

Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
13 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Published
2009
Manufacturer
ON Semiconductor
Height
1.1mm
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Package / Case
8-PowerTDFN
Series
PowerTrench®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Length
5mm
Number of Terminations
6
Number of Pins
8
Terminal Form
FLAT
Power Dissipation
2.5W
Element Configuration
Dual
Max Power Dissipation
2.5W
Drain to Source Breakdown Voltage
30V
Threshold Voltage
1.5V
Gate to Source Voltage (Vgs)
12V
Continuous Drain Current (ID)
30A
Nominal Vgs
1.5 V
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250μA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8m Ω @ 13A, 10V
Power - Max
1W
Feedback Cap-Max (Crss)
70 pF
Case Connection
DRAIN SOURCE
Base Part Number
FDMS3660S
Drain Current-Max (Abs) (ID)
13A
FET Type
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Manufacturer's Part No.
FDMS3660S
Width
5.9mm
Weight
171mg
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1765pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A 60A
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
JESD-30 Code
R-PDSO-F6
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Number of Elements
2
Turn-Off Delay Time
19 ns
FET Feature
Logic Level Gate
Turn On Delay Time
7.7 ns

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDMS3660S, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое FDMS3660S?

FDMS3660S — это компонент категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для FDMS3660S?

Для FDMS3660S указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли FDMS3660S в наличии?

Сейчас на странице указано 39209 шт. на складе и 38714 шт. доступно для FDMS3660S. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для FDMS3660S?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDMS3660S от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для FDMS3660S?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDMS3660S от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом FDMS3660S?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDMS3660S.

Еще материалы по закупкам

Статьи

3 июл. 2026 г.

Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas

PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI

Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.

Читать

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

Читать

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

Читать