Получить образец
Запросите инженерные образцы для оценки применимости, проверки альтернатив и ускорения решения до размещения более крупного заказа.
Запросить образцыDiodes IncorporatedДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы
DMN65D8LDW-7 Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от Diodes Incorporated
DMN65D8LDW-7 — это модель из категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от Diodes Incorporated, представленная на TrustCompo для покупателей, которым нужен понятный контекст по закупке и проверке до RFQ. Эта позиция находится в товарном пути Дискретные полупроводниковые изделия / Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы. Известный корпус сейчас указан как SOT363 в карточке бренда Diodes Incorporated. MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363. TrustCompo собирает доступные данные по модели, бренду, товарной иерархии и спецификациям для DMN65D8LDW-7, чтобы покупатели быстрее переходили от проверки к запросу предложения.
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Проверка подлинности и прослеживаемости
Быстрый ответ по RFQ
Поддержка по документации
Проверка перед отгрузкой
Ключевые характеристики
Серия
-
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияПодкатегория
Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - МассивыОписание
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Основные характеристики
-
Техническое описание
Открыть datasheet DMN65D8LDW-7Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для DMN65D8LDW-7 от Diodes Incorporated в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Процесс заказа
Поймите, как оформить заказ и какие политики поддерживают закупку
Здесь собран быстрый путь к заказу и страницы policy, которые покупатели обычно просматривают перед подтверждением закупки компонента.
Как заказать этот товар
Простой B2B-процесс помогает инженерной и закупочной команде перейти от проверки позиции к коммерческому подтверждению.
1
Проверьте позицию и количество
Сверьте номер детали, корпус, ключевые характеристики и целевое количество, чтобы запрос цены точно отражал нужный вашей команде scope закупки.
2
Отправьте RFQ или запрос на образец
Используйте быстрый запрос цены для коммерческой оценки или запрос образца, если инженерная валидация еще идет и нужен небольшой объем для проверки.
3
Согласуйте доставку, оплату и документы
До финального подтверждения уточните сроки наличия, способ отгрузки, схему оплаты и любые документы по прослеживаемости или инспекции, которые нужны вашему процессу.
Какие policy обычно проверяют покупатели
Эти страницы объясняют правила работы по образцам, доставке, оплате и quality support до размещения заказа.
Доставка и отгрузка
Ознакомьтесь с точкой отправки, вариантами перевозчиков, способами доставки и факторами, влияющими на срок транзита международных заказов.
Посмотреть условия доставкиУсловия оплаты
Узнайте о поддерживаемых способах оплаты, типах инвойсов, валюте котировки и коммерческих границах международных B2B-заказов.
Посмотреть условия оплатыЦентр качества и прослеживаемости
Посмотрите, как входной контроль, проверка перед отгрузкой, traceability support, сертификаты и дополнительные тесты встроены в наш quality workflow.
Посмотреть quality workflowСтруктурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Просматривайте обзор, подробные характеристики и связанные материалы по закупке в одном структурированном блоке без перегрузки длинными разрозненными секциями.
Обзор продукта
Обзор
The DMN65D8LDW-7 is a N-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Diodes Incorporated. This component is designed for use in various electronic applications, particularly in power management and switching applications due to its efficient performance and reliability.
Key Features:
- Type: N-channel MOSFET
- Voltage Rating: The DMN65D8LDW-7 has a maximum drain-source voltage (V_DS) of 65V, making it suitable for medium-voltage applications.
- Current Rating: It can handle a continuous drain current (I_D) of up to 8A, which allows it to manage significant power loads.
- R_DS(on): The on-resistance (R_DS(on)) is typically low, around 10 mΩ at a gate-source voltage (V_GS) of 10V. This low resistance minimizes power loss during operation, enhancing efficiency.
- Gate Threshold Voltage (V_GS(th)): The gate threshold voltage is typically in the range of 1V to 3V, which allows for easy interfacing with low-voltage control signals.
- Package Type: The DMN65D8LDW-7 is housed in a compact SO-8 package, which is suitable for surface mount technology (SMT). This package design helps save space on printed circuit boards (PCBs) and facilitates efficient thermal management.
- Thermal Resistance: The device has a low thermal resistance, which aids in heat dissipation during operation, ensuring reliability and longevity.
- Applications: Common applications include power management circuits, DC-DC converters, motor drivers, and other switching applications where efficient power handling is crucial.
Electrical Characteristics:
- Maximum Gate-Source Voltage (V_GS): ±20V
- Maximum Power Dissipation (P_D): Typically around 1.5W, depending on the thermal conditions.
- Operating Temperature Range: The device can operate in a wide temperature range, typically from -55°C to +150°C, making it suitable for various environmental conditions.
Benefits:
- High Efficiency: The low on-resistance and high current rating contribute to the overall efficiency of power circuits.
- Compact Size: The SO-8 package allows for space-saving designs in modern electronics.
- Versatility: Suitable for a wide range of applications, from consumer electronics to industrial systems.
In summary, the DMN65D8LDW-7 from Diodes Incorporated is a robust and efficient N-channel MOSFET that is well-suited for various power management and switching applications, offering a combination of high performance, reliability, and compact design.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
12 ns
Product Parameter
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Product Parameter
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Product Parameter
Number of Elements
2
Product Parameter
FET Feature
Logic Level Gate
Product Parameter
Turn On Delay Time
3.3 ns
Turn-Off Delay Time
12 ns
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Number of Elements
2
FET Feature
Logic Level Gate
Turn On Delay Time
3.3 ns
Rise Time
3.2ns
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
15 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Length
2.2mm
Width
1.35mm
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Published
2013
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Height
1.1mm
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250μA
Manufacturer
Diodes Incorporated
Additional Feature
HIGH RELIABILITY
Subcategory
FET General Purpose Powers
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
6
Number of Pins
6
Pin Count
6
Drain to Source Breakdown Voltage
60V
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Max Power Dissipation
300mW
Power Dissipation
300mW
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Weight
6.010099mg
Resistance
6Ohm
Fall Time (Typ)
6.3 ns
Continuous Drain Current (ID)
180mA
Drain Current-Max (Abs) (ID)
0.15A
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.87nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
22pF @ 25V
Manufacturer's Part No.
DMN65D8LDW-7
Base Part Number
DMN65D8LDW
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6 Ω @ 115mA, 10V
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.21.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют DMN65D8LDW-7, наличие, документацию и процесс закупки.
Что такое DMN65D8LDW-7?
DMN65D8LDW-7 — это компонент категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от Diodes Incorporated. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Какой корпус и описание указаны для DMN65D8LDW-7?
Для DMN65D8LDW-7 указан корпус SOT363. Текущее описание товара: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли DMN65D8LDW-7 в наличии?
Сейчас на странице указано 135851 шт. на складе и 49982 шт. доступно для DMN65D8LDW-7. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для DMN65D8LDW-7?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для DMN65D8LDW-7 от Diodes Incorporated. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для DMN65D8LDW-7?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для DMN65D8LDW-7 от Diodes Incorporated, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом DMN65D8LDW-7?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для DMN65D8LDW-7.
Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
Еще материалы по закупкам
Статьи
Изучите материалы о DMN65D8LDW-7, категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы и связанных решениях по закупке, чтобы команде было проще перейти от оценки к RFQ.
17 июл. 2026 г.
Поставки FPGA в 2026 году: структура выбора для закупок AMD Xilinx, Intel, Microchip и LatticeРуководство по закупке FPGA для production BOM в 2026 году: жизненный цикл, стоимость редизайна и границы квалификации для семейств AMD Xilinx, Intel, Microchip PolarFire и Lattice.
FPGAAMD XilinxIntel
11 июл. 2026 г.
Широкозонные силовые полупроводники в Q3 2026: где растет SiC, где выигрывает GaN и почему кремний все еще важенСрез по SiC, GaN и кремнию на Q3 2026: где широкозонные приборы уже выигрывают, где кремний сохраняет силу и на что инженерам и закупщикам стоит смотреть дальше.
широкозонные полупроводникиSiCGaN
8 июл. 2026 г.
Сроки поставки и ценовое давление Texas Instruments в 2026 году: что сейчас делать закупщикам аналоговых и силовых ИСОриентированная на закупщиков структура оценки рисков по аналоговым и силовым ИС Texas Instruments в 2026 году: что подтверждено, где наиболее вероятно ценовое давление и удлинение lead time, и какие действия sourcing-командам стоит выполнить в первую очередь.
Texas Instrumentsаналоговые ИСсиловые ИС