Поставка оригинальных IRF1404ZPBF, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 180A TO-220AB

Поставка оригинальных IRF1404ZPBF, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Infineon Technologies | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

IRF1404ZPBF

Внутренний код

TCE000045546

Упаковка

TO-

Производитель

Infineon Technologies

Ключевые характеристики

Серия

HEXFET®

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 40V 180A TO-220AB

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для IRF1404ZPBF от Infineon Technologies в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 40V 180A TO-220AB

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Parameter

Turn On Delay Time

18 ns

Product Parameter

Turn-Off Delay Time

36 ns

Product Parameter

Terminal Finish

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

Product Parameter

Number of Elements

1

Product Parameter

Dual Supply Voltage

40V

Product Parameter

Rise Time

110ns

Turn On Delay Time
18 ns
Turn-Off Delay Time
36 ns
Terminal Finish
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Number of Elements
1
Dual Supply Voltage
40V
Rise Time
110ns
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Factory Lead Time
12 Weeks
Published
2003
Element Configuration
Single
Length
10.54mm
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Nominal Vgs
4 V
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
JEDEC-95 Code
TO-220AB
Additional Feature
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Power Dissipation-Max
200W Tc
Package / Case
TO-220-3
Radiation Hardening
No
Mount
Through Hole
Number of Pins
3
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Number of Terminations
3
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Voltage - Rated DC
40V
Threshold Voltage
4V
Recovery Time
42 ns
Width
4.69mm
Drain to Source Breakdown Voltage
40V
Height
8.77mm
Current Rating
75A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Avalanche Energy Rating (Eas)
480 mJ
Power Dissipation
220W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
180A Tc
Continuous Drain Current (ID)
190A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7m Ω @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4340pF @ 25V
Fall Time (Typ)
58 ns
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
750A
Resistance
3.7Ohm
Manufacturer's Part No.
IRF1404ZPBF

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют IRF1404ZPBF, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое IRF1404ZPBF?

IRF1404ZPBF — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для IRF1404ZPBF?

Для IRF1404ZPBF указан корпус TO-. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 40V 180A TO-220AB. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли IRF1404ZPBF в наличии?

Сейчас на странице указано 46069 шт. на складе и 46069 шт. доступно для IRF1404ZPBF. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для IRF1404ZPBF?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для IRF1404ZPBF от Infineon Technologies. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для IRF1404ZPBF?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для IRF1404ZPBF от Infineon Technologies, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом IRF1404ZPBF?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для IRF1404ZPBF.

Еще материалы по закупкам

Статьи

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.

19 июн. 2026 г.

Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика

mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники

Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.

15 июн. 2026 г.

Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений

SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat

Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.