Что такое IXFN130N30?
IXFN130N30 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от IXYS. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных IXFN130N30, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от IXYS
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
HiPerFET™
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для IXFN130N30 от IXYS в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Export Classifications & Environmental
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Export Classifications & Environmental
REACH SVHC
No SVHC
Export Classifications & Environmental
HTSUS
8541.29.0095
Export Classifications & Environmental
ECCN Code
EAR99
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Factory Lead Time
8 Weeks
Published
2003
Part Status
Obsolete
Qualification Status
Not Qualified
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Nominal Vgs
4 V
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC
Manufacturer
IXYS
Series
HiPerFET™
Terminal Form
UNSPECIFIED
Terminal Position
UPPER
Weight
36mg
Pbfree Code
yes
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Termination
Screw
Number of Terminations
4
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Number of Pins
4
Pin Count
4
Case Connection
ISOLATED
Voltage - Rated DC
300V
Threshold Voltage
4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
130A Tc
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Fall Time (Typ)
31 ns
Resistance
22MOhm
Continuous Drain Current (ID)
130A
Current Rating
130A
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
520A
Power Dissipation-Max
700W Tc
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
380nC @ 10V
Drain to Source Breakdown Voltage
300V
Mount
Chassis Mount, Screw
Power Dissipation
700W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22m Ω @ 500mA, 10V
Manufacturer's Part No.
IXFN130N30
Turn-Off Delay Time
130 ns
Terminal Finish
Nickel (Ni)
Number of Elements
1
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Reverse Recovery Time
250 ns
Dual Supply Voltage
300V
Rise Time
75ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют IXFN130N30, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для IXFN130N30?
Для IXFN130N30 указан корпус SOT-. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли IXFN130N30 в наличии?
Сейчас на странице указано 83308 шт. на складе и 10592 шт. доступно для IXFN130N30. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для IXFN130N30?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для IXFN130N30 от IXYS. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для IXFN130N30?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для IXFN130N30 от IXYS, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом IXFN130N30?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для IXFN130N30.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
STB140NF55T4
208 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Ориентировочная цена
$2.00Добавить в список RFQ
FDC602P
143 покупали
SSOT-6
RoHS
MOSFET P-CH 20V 5.5A SSOT-6
Ориентировочная цена
$0.73Добавить в список RFQ
BSP170PH6327XTSA1
164 покупали
SOT223
RoHS
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
Ориентировочная цена
$0.29Добавить в список RFQ
FDB28N30TM
213 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
Ориентировочная цена
$3.61Добавить в список RFQ
FCD380N60E
199 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK
Ориентировочная цена
$0.50Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.