Что такое NDS352AP?
NDS352AP — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных NDS352AP, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 0.9A SSOT3
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
-
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET P-CH 30V 0.9A SSOT3
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для NDS352AP от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET P-CH 30V 0.9A SSOT3
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Product Attribute
Published
1997
Product Attribute
Factory Lead Time
10 Weeks
Part Status
Active
Lead Free
Lead Free
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type
Surface Mount
Published
1997
Factory Lead Time
10 Weeks
Packaging
Cut Tape (CT)
Terminal Position
DUAL
Terminal Form
GULL WING
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
FET Type
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Subcategory
Other Transistors
Weight
30mg
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Drain Current-Max (Abs) (ID)
0.9A
Continuous Drain Current (ID)
900mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
900mA Ta
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250μA
Power Dissipation-Max
500mW Ta
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Number of Terminations
3
Power Dissipation
500mW
Fall Time (Typ)
16 ns
Additional Feature
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Voltage - Rated DC
-30V
Drain to Source Breakdown Voltage
-30V
Width
3.05mm
Height
1.22mm
Nominal Vgs
-1.7 V
Threshold Voltage
-800mV
Resistance
500mOhm
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
3nC @ 4.5V
Current Rating
-900mA
Manufacturer's Part No.
NDS352AP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
135pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300m Ω @ 1A, 10V
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Rise Time
16ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Turn-Off Delay Time
35 ns
Dual Supply Voltage
-30V
Turn On Delay Time
8 ns
JESD-609 Code
e3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют NDS352AP, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для NDS352AP?
Для NDS352AP указан корпус SSOT3. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 30V 0.9A SSOT3. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли NDS352AP в наличии?
Сейчас на странице указано 62924 шт. на складе и 47792 шт. доступно для NDS352AP. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для NDS352AP?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для NDS352AP от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для NDS352AP?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для NDS352AP от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом NDS352AP?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для NDS352AP.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRF3703PBF
153 покупали
TO-
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 210A TO-220AB
Ориентировочная цена
$1.59Добавить в список RFQ
FQB1P50TM
132 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK
Ориентировочная цена
$1.40Добавить в список RFQ
BSS138TA
153 покупали
SOT23
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Ориентировочная цена
$0.05Добавить в список RFQ
IRFR5305TRRPBF
128 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Ориентировочная цена
Требуется запросДобавить в список RFQ
IRLR2905ZTRPBF
149 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Ориентировочная цена
$0.19Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.