Поставка оригинальных NTLJD4116NT1G, Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы, от ON Semiconductor

MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6-WDFN

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных NTLJD4116NT1G, Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы, от ON Semiconductor | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

NTLJD4116NT1G

Внутренний код

TCE000057565

Упаковка

-

Производитель

ON Semiconductor

Ключевые характеристики

Серия

-

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6-WDFN

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для NTLJD4116NT1G от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6-WDFN

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Product Attribute

Lead Free

Lead Free

Product Attribute

Mounting Type

Surface Mount

Product Attribute

Published

2006

REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Published
2006
Factory Lead Time
6 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Manufacturer
ON Semiconductor
Height
750μm
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Power Dissipation
1.5W
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250μA
Terminal Form
C BEND
Surface Mount
YES
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
6
Number of Pins
6
Pin Count
6
Gate to Source Voltage (Vgs)
8V
Voltage - Rated DC
30V
Length
2mm
Element Configuration
Dual
Width
2mm
Drain to Source Breakdown Voltage
30V
Additional Feature
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Drain Current-Max (Abs) (ID)
3A
Package / Case
6-WDFN Exposed Pad
Max Power Dissipation
710mW
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Current Rating
4.6A
Continuous Drain Current (ID)
3.7A
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.5A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
427pF @ 15V
Drain-source On Resistance-Max
0.09Ohm
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70m Ω @ 2A, 4.5V
Fall Time (Typ)
11.8 ns
Manufacturer's Part No.
NTLJD4116NT1G
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.21.0095
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Tin (Sn)
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Number of Elements
2
FET Feature
Logic Level Gate
Turn On Delay Time
4.8 ns
Turn-Off Delay Time
14.2 ns
Rise Time
11.8ns

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют NTLJD4116NT1G, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое NTLJD4116NT1G?

NTLJD4116NT1G — это компонент категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для NTLJD4116NT1G?

Для NTLJD4116NT1G указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6-WDFN. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли NTLJD4116NT1G в наличии?

Сейчас на странице указано 89296 шт. на складе и 67028 шт. доступно для NTLJD4116NT1G. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для NTLJD4116NT1G?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для NTLJD4116NT1G от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для NTLJD4116NT1G?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для NTLJD4116NT1G от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом NTLJD4116NT1G?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для NTLJD4116NT1G.

Еще материалы по закупкам

Статьи

3 июл. 2026 г.

Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas

PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI

Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.