Поставка оригинальных CSD88539ND, Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы, от Texas Instruments

MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC

RoHS
Поставка оригинальных CSD88539ND, Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы, от Texas Instruments | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

CSD88539ND

Внутренний код

TCE000062025

Упаковка

8SOIC

Производитель

Texas Instruments

Ключевые характеристики

Серия

NexFET™

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC

Основные характеристики

-

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

The CSD88539ND is a high-performance power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Texas Instruments. It is designed for applications requiring efficient power management, such as in power supplies, motor drives, and other high-frequency switching applications.

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

Part Status

Active

Product Attribute

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

Lead Free

Lead Free

Product Attribute

Mounting Type

Surface Mount

Part Status
Active
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
6 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Manufacturer
Texas
Width
3.91mm
Height
1.75mm
Package / Case
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Weight
540.001716mg
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Series
NexFET™
Contact Plating
Gold
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
8
Number of Terminations
8
Thickness
1.58mm
Length
4.9mm
Drain to Source Breakdown Voltage
60V
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Element Configuration
Dual
Power Dissipation
2.1W
Threshold Voltage
3V
Drain-source On Resistance-Max
0.034Ohm
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Continuous Drain Current (ID)
15A
Fall Time (Typ)
4 ns
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
46A
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 250μA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28m Ω @ 5A, 10V
Max Power Dissipation
2.1W
Base Part Number
CSD88539
Manufacturer's Part No.
CSD88539ND
Drain Current-Max (Abs) (ID)
6.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
741pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.4nC @ 10V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-609 Code
e4
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Turn-Off Delay Time
5 ns
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Number of Elements
2
Rise Time
9ns
Turn On Delay Time
6 ns
FET Feature
Standard

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют CSD88539ND, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое CSD88539ND?

CSD88539ND — это компонент категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от Texas Instruments. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для CSD88539ND?

Для CSD88539ND указан корпус 8SOIC. Текущее описание товара: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли CSD88539ND в наличии?

Сейчас на странице указано 56157 шт. на складе и 43213 шт. доступно для CSD88539ND. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для CSD88539ND?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для CSD88539ND от Texas Instruments. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для CSD88539ND?

Отдельная ссылка на datasheet сейчас не указана для CSD88539ND от Texas Instruments. Свяжитесь с нами с номером детали и нужными параметрами, чтобы команда помогла подтвердить документацию на этапе предложения.

Что нужно проверить перед заказом CSD88539ND?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для CSD88539ND.

Еще материалы по закупкам

Статьи

3 июл. 2026 г.

Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas

PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI

Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.